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华微电子:练好自身“内功”,从容面对竞争

[ 时间:2022-08-11 10:40:58 | 来源: ]

  半导体一直以来都是事关国家战略安全和产业竞争力的重要产业。近年来,我国一直在为打破“缺芯之痛”,积极部署战略重心。特别是2020年以来,中美科技争端发酵后,给我国半导体产业敲响了警钟。

  面对美国在半导体领域的“制裁”,国内半导体企业该如何应对?华微电子相关负责人表示:“国内半导体产业的发展到现在这个时间节点上,需要的是半导体产业的上游企业解决材料、设备等配套,半导体企业自身练好“内功”,把下游企业需求的半导体产品做好。同时我国半导体产业要加快国产替代进程,要加快推进光刻胶、化学试剂等关键原材料的国产替代计划。”

  上述华微电子负责人还提到:“相对于国际半导体品牌,国产半导体品牌的产品主要集中在低端领域,不过,现在中高端应用的客户有诉求进行国产替代,从这一方面讲,给予了国产半导体品牌进入中高端领域的机会。面对这样的机会,国产半导体企业需要加快自身工艺平台的建设,为进入中高端领域做好软硬件基础,同时要注重培养高端的专业技术人才。”

  华微电子不仅是我国功率半导体龙头企业,也是一直践行国产替代战略的企业之一,目前华微电子已拥有4英寸、5英寸6英寸与8英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线。

  据了解,在终端设计、工艺制造和产品设计方面,华微电子已经拥有多项专利及工艺诀窍,尤其在IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等方面。华微电子拥有独特的核心技术更是在国内领先,并达到国际同行业先进水平。多位业内人士表示,经历了半个多世纪技术积累的华微电子,有望成为功率半导体器件替代进口的有力竞争者。

  上述华微电子负责人提到:“未来,华微电子将继续把握国产替代趋势,进一步加大研发投入,将重点在IGBT、超结MOS和中低压MOS这些硅基器件上继续升级现有的工艺平台,同时加快8英寸生产线建设,开发第五代沟槽FSIGBT、第二代超结MOSFET和第二代CCT中低压MOSFET;同时,还将开发和布局第三代半导体,目前华微电子已开发出SiC二极管样品,下一步将进行GaNHEMT器件的开发工作,助力打造‘中国芯’。”

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